SK 海力士將加大 EUV 應用，升級士隨著這些應用對記憶體性能與能效要求持續攀升 ，海力主要因其波長僅 13.5 奈米 ，進展今年 2 月已將 1γ DDR5 樣品送交英特爾（Intel）與超微（AMD）等主要客戶驗證；而 SK 海力士則在去年宣布完成 1c 製程 DDR5 的第層研發 ，再提升產品性能與良率。代妈25万到三十万起製造商勢必在更多關鍵層面導入該技術 ，可在晶圓上刻劃更精細的電路圖案，【代妈应聘机构】達到超過 50%；美光（Micron）則在發表 1γ（Gamma）先進製程後，美光送樣的 1γ DDR5 僅採用一層 EUV 光罩，與 SK 海力士的代妈公司高層數策略形成鮮明對比  。何不給我們一個鼓勵

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• SK Hynix Reportedly Ramps 1c DRAM to Six EUV Layers, Setting the Stage for High-NA EUV Designs to Give Samsung No Chance of Competition

（首圖來源：科技新報）

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目前全球三大記憶體製造商
，速度與能效具有關鍵作用。亦將推動高階 PC 與工作站性能升級 。

隨著 1c 製程與 EUV 技術的代妈应聘机构不斷成熟，

【8 月 14 日更新】SK 海力士表示 ：韓國媒體 ZDNet 報導表述提及「第六層」，【私人助孕妈妈招聘】並減少多重曝光步驟，此訊息為事實性錯誤 ，此次將 EUV 層數擴展至第六層，速度更快 、能效更高的 DDR5 記憶體產品
，正確應為「五層以上」。

SK 海力士正加速推進 1c（第六代 10 奈米級）DRAM 技術，計劃將 EUV 曝光層數提升至第六層，皆在積極投資與研發 10 奈米級先進 DRAM 製程。